近日，半导体行业迎来了一则重磅消息：三星电子与中国存储芯片厂商达成了一项关键的技术合作。三星将从第10代NAND Flash产品（V10）开始，使用其“混合键合”（Hybrid Bonding）技术专利。这一合作不仅标志着中国半导体技术在全球市场的崛起，也反映出韩国半导体巨头在技术迭代和市场竞争中面临的挑战。
业内人士分析指出，当前3D NAND混合键合技术的关键专利主要掌握在美国和中国半导体企业手中，三星在专利布局上已难以绕开中国企业。与此同时，据ZDNET Korea报道，SK海力士在下一代NAND闪存技术的研发中，也将依赖中国存储芯片厂商的混合键合技术专利。尽管其在传统存储芯片领域具有优势，但在新兴技术领域，尤其是混合键合技术方面，SK海力士需要通过与中国存储芯片厂商的合作来弥补技术短板。近年来，中国半导体产业在政策支持、资本投入和技术创新的多重推动下，发展迅速。据半导体行业协会和波士顿咨询集团预测，到2030年，全球半导体市场规模将翻倍，而中国将占据其中约60%的增长。与此同时，韩国企业在传统优势领域的统治力正逐步被削弱。
与此同时，中国专利申请数量的迅猛增长也进一步凸显了中国半导体行业的强大韧性。据知识产权法律公司Mathys & squire的报告，2023-2024年中国专利申请数量同比增长42%，超过包括韩国在内的其他所有地区。而根据集微咨询发布的《2024年中国大陆半导体制造企业专利实力榜单》显示，中芯国际、长鑫存储、长江存储、华虹宏力等企业名列前茅。在国际视野榜单中，长鑫存储和长江存储分别位列第一、第二位，其多元专利布局体现出积极参与国际行业进步的战略眼光。这一趋势表明，中国半导体行业在中美技术紧张的背景下，依然保持了强劲的发展势头。面对增长困境和专利布局上的劣势，韩国半导体行业也在进行深刻反思。韩国科技评估与规划研究院的调查报告显示，韩国在高集成度、低阻抗存储技术等多个领域已被中国赶超。特别是在高性能、低功耗人工智能半导体领域，韩国也落后于中国。此外，韩国半导体先进封装技术等领域的优势也不再明显。更为严峻的是，韩国半导体行业最后的护城河——HBM板块也面临着来自中美的巨大压力。中国AI企业Deepseek的突破性成果证明，较低规格的HBM也能支持高性能AI模型的实现。这一发现对韩国高端HBM市场需求构成了严重冲击，预示着韩国半导体企业在HBM领域的优势将逐渐丧失。市场消息指，美光目前已向英伟达的AI芯片供应8层HBM3E芯片，尽管其市场份额仍远低于12层HBM3E芯片的领导者SK海力士，但领先于三星电子的HBM产品和市场进度。
值得关注的是，3月6日美光突然宣布关键人事任命，其中台积电前董事长刘德音加入董事会备受关注。相关人事变动虽看似为美光带来了技术和财务领域的强援，但这种人才战略也可能引发行业竞争的进一步加剧，甚至导致全球半导体产业格局的不稳定。美光试图借助刘德音的经验推动“存储+逻辑”集成技术的发展，并加速海外产能布局，但这种激进的扩张策略可能面临诸多不确定性，包括技术融合的难度、地缘政治风险以及巨额投资带来的财务压力。面对国内外半导体行业的激烈竞争和专利布局上的劣势，韩国半导体企业不得不寻求与中国企业的合作，以共谋发展。而中国半导体企业则通过技术创新和专利布局的不断加强，正逐步超越世界领先企业，迎来属于自己的时代。（来源：微信公众号：智能数码时代）
